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参数目录49514
> BSB024N03LX G MOSFET N-CH 30V 145A 2WDSON
型号:
BSB024N03LX G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 30V 145A 2WDSON
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
BSB024N03LX G PDF
产品变化通告
Product Discontinuation 12/May/2009
标准包装
5,000
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
145A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
2.4 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4900pF @ 15V
功率 - 最大
78W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
3-WDSON
供应商设备封装
MG-WDSON-2,CanPAK M?
包装
带卷 (TR)
其它名称
SP000597838
查看BSB024N03LX G代理商
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